HGTG20N60B3D, IGBT транзистор

Цена: По запросу

+ - Купить

Доставка: ТК Деловыми линиями ЖелдорЭкспедиция DPD и др.

Описание товара Характеристики Документация

Код товара: 131595813-LP
Производитель: ONSemiconductor
Максимальное напряжение кэ ,В: 600
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A: 40
Максимальный ток кэ при 100 гр. С,A: 20
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.8
Структура*: дискретный транзистор или со встроенным диодом с мягким восстановлением: n-канал с диодом

a:2:{s:4:"TEXT";s:300:"

Обзор продукции: IGBT транзисторы

Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации. Для получения актуализированной информации отправьте запрос на адрес techno.ru

";s:4:"TYPE";s:4:"HTML";}

С ЭТИМ ТОВАРОМ ПОКУПАЮТ