HGTG12N60B3, 27A/600V N-

• Код товара: 26113-LP
• Производитель: ONSemiconductor
• корпус: TO247AC
• Максимальное напряжение кэ ,В: 600
• Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A: 27
• Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.1
• Структура*: дискретный транзистор или со встроенным диодом с мягким восстановлением: n-канал
• Мощность макс.,Вт: 104
• Управляющее напряжение,В: 6

HGTG12N60B3, 27A/600V N- (техническая документация из каталога ПЛАТАН)

Чертеж корпуса

Обзор продукции: IGBT транзисторы

Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации. Для получения актуализированной информации отправьте запрос на адрес techno.ru